1-m-tolylpiperazine, ≥95%
 1-m-tolylpiperazine
別名:  
Cas號: 41186-03-2 物化性質:  
分子式: C11H16N2 熔點:  
分子量: 176.26 

儲存條件: 室溫 

1-m-tolylpiperazine, ≥95%光刻膠高純試劑 ：

光刻工藝是一種表面加工技術，在半導體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實現選擇性腐蝕，采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層，稱為抗蝕劑，國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠，按所用曝光光源和輻射光源的不同，又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑，要求水分低、金屬雜質含量低（≤ 10 -6 ）

1-m-tolylpiperazine, ≥95%磨拋光高純試劑 ：

是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉（三氧化二鋁）和磨液（水和油劑），能研磨表面達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小（納米），純度高，金屬雜質一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

1-m-tolylpiperazine, ≥95%液晶高純試劑 ：

液晶是一類電子化學材料，是指在一定溫度范圍內呈現介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態(tài)的流動性也有晶態(tài)的各向異性，有時人稱他為第四態(tài)。

液晶種類繁多，用途*廣，前景*大的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN （中**）、 TFT （**）型。 TN 、 STN 及TFT 三種型號所組成的單體液晶，主要包括芳香酯類、聯苯類、苯基環(huán)已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種，它們是當今及今后使用及發(fā)展的主要對象。1-m-tolylpiperazine, ≥95%這類高純試劑要求含量高（≥ 99 ﹪），水分含量低（≤ 10 -6 ），金屬雜質含量少（≤ 10 -6 ）。