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產(chǎn)品資料

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸

如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱: 1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸
產(chǎn)品型號: 132622-98-1
產(chǎn)品展商: HZbscience
產(chǎn)品文檔: 無相關文檔

簡單介紹

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸價格,說明書,規(guī)格,純度。 1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸, 98% N-boc-cis-4-AMino-D-Proline 別名: Cas號: 132622-98-1 物化性質: 分子式: C10H18N2O4 熔點: 263-264℃ 分子量: 230.26 密度: 1.232g/cm3 儲存條件: 2~8℃


1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸  的詳細介紹

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸, 98%
 N-boc-cis-4-AMino-D-Proline
別名:  
Cas號: 132622-98-1 物化性質:  
分子式: C10H18N2O4 熔點: 263-264℃ 
分子量: 230.26 

密度: 1.232g/cm3 
儲存條件: 2~8℃ 

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸光刻膠高純試劑 :

光刻工藝是一種表面加工技術,在半導體電子器件和集成電路制造中占有重要地位。為在表面實現(xiàn)選擇性腐蝕,采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕涂層,稱為抗蝕劑,國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠,按所用曝光光源和輻射光源的不同,又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、 X 射線等光刻膠。

光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑,要求水分低、金屬雜質含量低(≤ 10 -6 )

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸磨拋光高純試劑 :

是指用于硅單晶片表面的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉(三氧化二鋁)和磨液(水和油劑),能研磨表面達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度?。{米),純度高,金屬雜質一般要求 2.0 × 10 -4 — 5 × 10 -5 ﹪

1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸液晶高純試劑 :

液晶是一類電子化學材料,是指在一定溫度范圍內呈現(xiàn)介于固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態(tài)的流動性也有晶態(tài)的各向異性,有時人稱他為第四態(tài)。

液晶種類繁多,用途*廣,前景*大的要屬 TN( 低檔 ) 、 STN (中**)、 TFT (**)型。 TN 、 STN 及TFT 三種型號所組成的單體液晶,主要包括芳香酯類、聯(lián)苯類、苯基環(huán)已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種,它們是當今及今后使用及發(fā)展的主要對象。1-N-BOC-4(R)-氨基-吡咯烷-2(R)-羧酸這類高純試劑要求含量高(≥ 99 ﹪),水分含量低(≤ 10 -6 ),金屬雜質含量少(≤ 10 -6 )。

滬公網(wǎng)安備 31011702004356號

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